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SPP08P06P H /MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3
SPP08P06P H的规格信息
SPP08P06P H的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:PG-TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:8.8 A

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:42 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SIPMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:SPP08P06

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:1.5 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:46 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:SP000446908 SPP08P06PHXKSA1 SPP8P6PHXK

单位重量:6 g

供应商SPP08P06P H
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深圳市天卓伟业电子有限公司SPP08P06P H深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SPP08P06P Hwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市坤融电子有限公司SPP08P06P H航都大厦10I0755-23990975
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深圳市安富世纪电子有限公司SPP08P06P H深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
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深圳市斌腾达科技有限公司SPP08P06P H深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SPP08P06P H深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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万三科技（深圳）有限公司SPP08P06P H深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SPP08P06P H深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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13590238352，13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917		文小姐，米小姐，朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市百润电子有限公司SPP08P06P H深圳市华强北华强广场C座7楼001室13430483190麦逸芬Email:1943137555@qq.com询价
深圳市新启创电子科技有限公司SPP08P06P H深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A0755-83987343
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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50000+:￥2.46
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